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三星电子全球战略会议:HBM销售攻势+长期供货协议,存储器巨头反攻号角

生成摘要
三星电子重夺DRAM市场第一的核心在于HBM战略,通过推出HBM3E至HBM4E全系列产品方案,以进攻性姿态打破SK海力士垄断。同步推进的长期供货协议有效锁定大客户订单,显著提升业务稳定性与需求能见度。这一举措不仅加剧行业竞争,更推动先进封装及设备产业链全面景气,确立HBM为存储业务增长的关键引擎。
— AI 生成,仅供参考

【核心要点】

• 战略会议:三星电子副会长全永铉主持年度全球战略会议,一连三天,重点讨论HBM销售方案

• HBM攻势:讨论HBM3E及下一代HBM4、HBM4E供应方案,基于重夺DRAM市场第一位置,拿出更具进攻性的销售战略

• 长期协议:检查与大型科技企业的长期供货协议策略,提高业务稳定性和需求能见度

• 市场背景:存储器供应短缺局面持续时间拉长,主要客户为确保稳定供货量,先行提出长期供货协议

【详细分析】

三星电子近日召开一连三天的年度全球战略会议,由副会长全永铉主持。会议重点讨论了扩大HBM(高带宽存储器)销售的方案,Device Solutions部门详细规划了面向各客户公司的HBM3E以及下一代HBM4、HBM4E的供应方案。

HBM是当前AI算力基础设施的核心组件,随着大模型训练和推理需求爆发,HBM市场供不应求。SK海力士凭借先发优势,在HBM3E市场占据主导地位,而三星电子正奋起直追。三星电子表示,今年基于重夺DRAM市场第一位置的目标,将拿出更具进攻性的销售战略。

值得注意的是,三星电子还检查了自年初以来一直推进的与大型科技企业之间的长期供货协议策略。在存储器供应短缺局面持续时间拉长的情况下,主要客户公司为确保稳定供货量,先行提出长期供货协议。三星电子希望借此提高业务稳定性和需求能见度,锁定未来2-3年的订单。

【市场影响】

三星电子的HBM战略对全球存储器市场和AI产业链具有深远影响。首先,三星加大HBM销售攻势,将加剧与SK海力士的竞争,可能引发价格战,但短期内供不应求格局难以改变。其次,长期供货协议的推进,意味着大型科技公司(如NVIDIA、Google、Microsoft等)正在锁定HBM产能,确保AI基础设施建设的供应链安全。

从产业链角度看,HBM需求持续旺盛,将带动上游DRAM晶圆、先进封装、测试设备等全产业链景气。三星电子的扩产计划,也将增加对半导体设备(如ASML、应用材料、东京电子等)的需求。同时,HBM4和HBM4E的技术演进,将推动3D堆叠、混合键合等先进封装技术的发展。

【关联A股股票】

  • HBM产业链及国产替代受益链:

长电科技(600584) — 国内封测龙头,先进封装技术布局HBM产业链

通富微电(002156) — AMD核心封测供应商,HBM封装技术储备

深科技(000021) — DRAM封测+智能物流,存储产业链

华天科技(002185) — 封测企业,先进封装技术

兆易创新(603986) — 存储芯片设计龙头,NOR Flash+DRAM

北京君正(300223) — 存储芯片设计,车规级DRAM

江波龙(301308) — 存储模组龙头,企业级SSD

佰维存储(688525) — 存储模组,嵌入式存储

德明利(001309) — 存储模组,移动存储

北方华创(002371) — 半导体设备龙头,薄膜沉积设备

中微公司(688012) — 刻蚀设备龙头,存储产线核心设备

拓荆科技(688072) — 薄膜沉积设备,存储芯片制造

华海清科(688120) — CMP设备,晶圆制造关键设备

盛美上海(688082) — 清洗设备,存储产线

芯源微(688037) — 涂胶显影设备,存储产线

【总结】

三星电子全球战略会议释放明确信号:HBM是存储器业务的战略制高点,三星将全力反攻,重夺DRAM市场第一。HBM3E及下一代HBM4、HBM4E的供应方案,以及长期供货协议的推进,表明HBM供不应求格局将持续,产业链景气度高涨。

对于A股市场,建议关注HBM产业链三大环节:一是先进封装(长电科技、通富微电);二是存储芯片设计(兆易创新、北京君正);三是半导体设备(北方华创、中微公司)。同时,半导体材料(雅克科技、沪硅产业)也将受益于HBM扩产潮。

风险提示:HBM技术迭代不及预期、存储器周期波动、地缘政治风险、国产替代进度不及预期等。

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